Départements scientifiques : INP - INSIS

 

Thématique 1. Modélisation et couplage entre théorie et expérience

  • Pierre MÜLLER (CINAM, Marseille)
  • Olivier PIERRE-LOUIS (IML, Lyon)
  • Laurent PIZZAGALLI (Pprim, Poitiers)

Thématique 2. Intégration monolithique hétérogène et hétéroépitaxie sur silicium

  • Yvon CORDIER (CRHEA, Valbonne)
  • Charles CORNET (FOTON, Rennes)
  • Guillaume SAINT-GIRONS (INL, Lyon)

Thématique 3. Organisation sur substrat fonctionnalisé et nanostructuré, croissance sélective et épitaxie latérale

  • Yamina André (Institut Pascal, Aubière)
  • Ludovic DESPLANQUE (IEMN, Villeneuve d’Asq)
  • Xavier WALLART (IEMN, Villeneuve d’Asq)

Thématique 4. Caractérisations ultimes : locales, microscopiques et globales

  • Patrick LEFEVRE (CEA Saclay, Orsay)
  • Gilles RENAUD (CEA, INAC, Grenoble)
  • Philippe VENNEGUES (CRHEA, Valbonne)

Thématique 5. Nouvelles techniques instrumentales liées à l’épitaxie (contrôle de croissance, analyses de surface in situ etc.) et nouveaux systèmes (couplage, clusters etc.)

  • Alexandre ARNOULT (LAAS, Toulouse)
  • Paola ATKINSON (INSP, Paris)
  • Antoine RONDA (IM2NP, Marseille)

Thématique 6. Propriétés (optiques, électroniques, etc.) des systèmes épitaxiés et applications

  • Michele AMATO (C2N, Orsay)
  • Hélène CARRERE (LPCNO, Toulouse)
  • Noëlle GOGNEAU (C2N, Orsay)

Thématique 7. Nouveaux matériaux semiconducteurs (oxydes, organiques) et nouveaux systèmes (1D, 2D, cœur-coquille, etc...)

  • Mathieu JAMET (CEA, INAC, Grenoble)
  • Holger VACH (Polytechnique, Palaiseau)
  • Dominique VIGNAUD (IEMN, Villeneuve d’Asq)

Thématique 8. Nanofils

  • Sébastien PLISSARD (LAAS, Toulouse)
  • Vincent CONSONNI (LMGP, Grenoble)
  • Vincent SALLET (GEMAC, Versaille)

 

Coordonnateur : Jean-Noël Aqua (INSP Paris)
Coordonnatrices adjointes : Isabelle Berbezier (IM2NP Marseille) et Chantal Fontaine (LAAS Toulouse)