Départements scientifiques : INP - INSIS |
Thématique 1. Modélisation et couplage entre théorie et expérience
Thématique 2. Intégration monolithique hétérogène et hétéroépitaxie sur silicium
Thématique 3. Organisation sur substrat fonctionnalisé et nanostructuré, croissance sélective et épitaxie latérale
Thématique 4. Caractérisations ultimes : locales, microscopiques et globales
Thématique 5. Nouvelles techniques instrumentales liées à l’épitaxie (contrôle de croissance, analyses de surface in situ etc.) et nouveaux systèmes (couplage, clusters etc.)
Thématique 6. Propriétés (optiques, électroniques, etc.) des systèmes épitaxiés et applications
Thématique 7. Nouveaux matériaux semiconducteurs (oxydes, organiques) et nouveaux systèmes (1D, 2D, cœur-coquille, etc...)
Thématique 8. Nanofils
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Coordonnateur : Jean-Noël Aqua (INSP Paris)
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