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Formation Permanente
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Nanostructures semi-conductrices : concepts de base |
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Public : Personnels CNRS, Université, C.E.A., INSERM, industriel.
Effectif : 12 stagiaires
Dates : 14 - 18 Novembre 2011, Accueil lundi matin 9h. Fin du stage vendredi après-midi 17h
Objectifs : L'objectif de cette formation est d'apporter les bases théoriques et expérimentales spécifiques aux objets semi-conducteurs de basse dimensionnalité. Durant les cours seront donnés des enseignements très fondamentaux souvent absents des enseignements classiques de l’université et qui font défaut lors de la manipulation des nano-objets, de leur élaboration à leur caractérisation morphologique, chimique, structurale, électrique et optique. Les après-midi seront consacrés à des travaux pratiques (principalement en salle blanche) : modélisations, dépôts physique et chimique, nanostructuration, caractérisation de surface, microscopies électroniques et en champ proche, caractérisation électrique et optique. Le but est de présenter des exemples typiques de modélisation, élaboration, auto-organisation et caractérisation de puits, fils et boîtes quantiques à base de silicium. Le stage doit permettre d’appréhender la plupart des problèmes qui peuvent être rencontrés lors de la manipulation des nanostructures semi-conductrices à base de silicium.
Programme : 5 jours de formations avec 3 h de cours le matin et 3 h de T.P. l’après-midi
- Module A : Croissance des nanostructures : concepts de base et Modélisation
- Module B : Elaboration des nanostructures
- Module C : Nanostructuration et Caractérisation chimique, morphologique et structurale
- Module D : Propriétés électroniques : Concepts théoriques et Modélisation
- Module E : Caractérisation électrique et optique
Voir programme détaillé ci-dessous
Lieu de formation :
IM2NP Salle Patrick Gas de l’équipe NSCE, - Campus Saint-Jérôme - Avenue Normandie-Niemen, 13013 MARSEILLE
site web : www.im2np.fr
Renseignements pédagogiques et de logistique :
Frais d’inscription : 300 € (pris en charge pour les agents CNRS)
Les repas pourront être pris au restaurant universitaire de l’université d’Aix Marseille.
Des demandes de réservation de chambres universitaires peuvent être effectuées auprès du CROUS
Contact :
Isabelle BERBEZIER
@ : isabelle.berbezier@im2np.fr
Inscriptions : Les demandes d'inscription dûment remplies et signées sont à retourner à l'adresse suivante
CNRS - Délégation Provence et Corse – Service des Ressources Humaines 31, Chemin Joseph Aiguier 13402 MARSEILLE CEDEX 20
Renseignements administratifs :
Patricia SCARDIGLI
Tél : 04-91-16-40-15
Fax : 04-91-16-46-44
@ : patricia.scardigli@dr12.cnrs.fr
Date limite de réception de l’inscription: Lundi 17 octobre 2011
Lundi matin 9h – 12h : Module A
Croissance des nanostructures : concepts de base et Modélisation
Intervenants : Jean-Noël Aqua (INSP - Uni Paris) -
a) Introduction à la croissance cristalline, rugosité atomique, surface vicinale, germination, croissance et épitaxie
b) Instabilités de croissance et formes d’équilibre
c) Modélisation (Dynamique moléculaire, Simulation par éléments finis, Méthode de champ de phase, Monte Carlo cinétique, Modèles continus)
Lundi après-midi 14h – 17h :
T.P. 1 : Modélisation
Intervenants : Jean-Noël Aqua (INSP - Uni Paris) -
Mardi matin 9h – 12h : Module B
Elaboration des nanostructures
Intervenante :
a) Dynamique des surfaces : Mobilité des adatomes et des marches – Spécificités du silicium
b) Epitaxie (MBE, CVD)
c) Auto-assemblage des nanostructures : nanostructuration, démouillage, effets cinétiques et thermodynamiques
d) Incorporation des impuretés (implantation et co-dépôt)
Mardi après-midi 14h – 17h :
T.P. 2 : Elaboration en salle blanche - Plateforme NANOTECMAT (MBE, CVD, RTA)
Intervenants :
Mercredi matin 9h – 12h : Module C
Nanostructuration et Caractérisation chimique, morphologique et structurale
Intervenant :
a) Nanostructuration (FIB, e-beam, AFM, nanoimprint)
b) Microscopies électroniques (SEM, TEM) et diffraction électronique (CBED, SAED, RHEED)
c) Microscopies en champ proche (AFM, STM)
Mercredi après-midi 14h – 17h :
T.P. 3 : Caractérisation morphologique (AFM, SEM, TEM)
Intervenants : G. Amiard (AMU – IM2NP) –
Jeudi matin 9h – 12h : Module D
Propriétés électroniques : Concepts théoriques et Modélisation
Intervenante :
a) Mécanique quantique : Système de N particules, Théorie des perturbations stationnaires, Effet tunnel, Couplage spin-orbite
b) Calcul de la structure électronique : Méthodes d’approximation ; Méthodes ab initio (Méthodes en fonction d’onde, Théorie de la fonctionnelle de densité) et Méthodes semi-empiriques ( Pseudo-potentiels empiriques, Méthode k-p, liaisons fortes ou « tight-binding »)
c) Nanostructures quantiques : boites, fils et puits quantiques
Jeudi après-midi 14h – 17h :
T.P. 4 : Nanostructuration (FIB, AFM, e-beam)
Intervenants :
Vendredi matin 9h – 12h : Module E
Caractérisation électrique et optique
Intervenants : Madjid Mesli (CNRS – IM2NP)
a) Caractérisation électrique et métrologie des défauts de systèmes macroscopiques - Application des caractérisations électriques aux nanostructures
b) Caractérisations optiques
c) Caractérisation électrique locale
Vendredi après-midi 14h – 17h
T.P.5 : Caractérisation optique (PL) et électrique (DLTS, C(V), I-V)
Intervenants : M. Mesli (CNRS – IM2NP) - P. Ferrandis (Uni. Toulon Var – IM2NP)
