 | Karine Castellani-Coulié |
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| mail : karine.castellani@up.univ-mrs.fr |
Postdoc (Université d'Aix-Marseille)
Domaines d'activité :
Microélectronique. Simulation numérique de composants et circuits.
Effets des radiations sur les composants et systèmes.
Phénomènes d'aleas logiques (SEU) sur les mémoires SRAM.
Publications récentes :
Castellani-Coulié K., Munteanu D., Autran J.L., Ferlet-Cavrois V., Paillet P., Masson P.- Device simulation study of SEU in SRAMs based on double-gate MOSFETs.- Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD 2005), 21-24 mai 2005, Giens, France, p. 93-96, 2005
Autran J.L., Munteanu D., Houssa M., Castellani-Coulié K., Said A.- Performance degradation induced by fringing field-induced barrier lowering and parasitic charge in double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with high-κ dielectrics.- Japanese Journal of Applied Physics, p. 8362-8366, 2005
K.Castellani-Coulié, D. Munteanu, V. Ferlet-Cavrois, J-L. Autran.Simulation Analysis of the Bipolar Amplification in Fully-Depleted SOI Technologies under Heavy-Ion Irradiations.Présenté à la conférence RADECS 2004, Madrid (Espagne), 22-24 septembre 2004.
K.Castellani-Coulié, B. Sagnes, F. Saigné, J-M. Palau, J-L. Autran, M-C. Calvet.Simulation studies of the parasitic structures involved in the SEU mechanisms in SRAMs.Présenté à la conférence RADECS 2004, Madrid (Espagne), 22-24 septembre 2004.
K.Castellani-Coulié, B. Sagnes, F. Saigné, J-M. Palau, M-C. Calvet, P.E. Dodd, F.W. Sexton.Study of a SOI SRAM Sensitivity to SEU by 3-D Device Simulation.Accepté pour publication dans la revue IEEE Transactions on Nuclear Science, octobre 2004.Présenté à la conférence RADECS 2003, Noordwijk (Pays-Bas), 15-19 septembre 2003.
K.Castellani-Coulié, B. Sagnes, F. Saigné, J-M. Palau, M-C. Calvet, P.E. Dodd, F.W. Sexton.Comparison of NMOS and PMOS Transistor Sensitivity to SEU in SRAMs Studied by Device Simulation.IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.50, No 6, pp 2239-2244, décembre 2003.Présenté à la conférence NSREC 2003, Monterey, Californie (USA), 21-25 juillet 2003.
J-M. Palau, F.Wrobel, K. Castellani-Coulié, M-C. Calvet, P. Dodd, F. Sexton.Monte Carlo Exploration of Neutron-Induced SEU-Sensitive Volumes in SRAMs.IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.49, N°6, pp 3075-3081, décembre 2002.Présenté à la conférence NSREC 2002, Phoenix, Arizona (USA), 15-19 juillet 2002.
K. Castellani-Coulié.Recherche des paramètres déterminants pour la prévision des aléas logiques induits par les protons et les neutrons sur les technologies CMOS avancées.Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, Grenoble (France), 23-25 avril 2002, pp 132-133.
K. Castellani-Coulié, G. Hubert, J.M. Palau, M. C. Calvet, P. Dodd, F.Sexton.Various SEU Conditions in SRAM studied by 3-D Device Simulation.IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.48, No 6, pp 1931-1936, décembre 2001.Présenté à la conférence NSREC 2001, Vancouver, British Columbia (Canada), 16-20 juillet 2001.
G. Hubert, J. M. Palau, K. Castellani-Coulié, M. C. Calvet and S. Fourtine.Detailed Analysis of Secondary Ions Effect for the Calculation of Neutron-Induced SER in SRAMs.IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.48, No 6, pp 1953-1959, décembre 2001.Présenté à la conférence NSREC 2001, Vancouver, British Columbia (Canada), 16-20 juillet 2001.
J. M. Palau, G. Hubert, K. Coulié, B. Sagnes, M.C. Calvet and S. Fourtine.Device Simulation Study of the SEU Sensitivity of SRAMs to Internal Ion Tracks Generated by Nuclear Reactions.IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 48, No 2, pp 225-231, avril 2001.
G. Hubert, K. Coulié, J-M. Palau, B. Sagnes, M. C. Calvet, S. Fourtine.SEU sensibility of SRAMs to neutrons or protons.NSREC 2000, Reno, Nevada (USA), 24-28 juillet 2000.
K. Castellani-Coulié, G. Hubert, J-M. Palau, M-C. Calvet, J. Gasiot.Study of the mechanisms occurring in neutrons- or protons-induced Soft Errors in SRAMs.RADECS 2000, Louvain-la-Neuve (Belgique), 11-13 septembre 2000, pp 37-42.
