Saad Cheffah
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Doctorant (Université d'Aix-Marseille)

• Equipe "Dispositifs Ultimes sur Silicium"
  

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Domaine d'activité :

Fiabilité des circuits électroniques, Modélisation des phénomènes physiques conduisant au claquage d’oxyde de grille des transistors MOSFET, Impact du claquage sur la fiabilité des circuits.

Sujet de thèse :

Modélisation de l’impact du claquage d’oxyde de grille progressif sur les performances des transistors et les conséquences sur les systèmes CMOS intégrés

Directeur de thèse : Alain Bravaix
Tuteur : Rémy Chevallier

Financement : CIFRE
Ecole Doctorale : ED 353

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Publications

“Soft oxide breakdown impact on the functionality of a 40 nm SRAM Memory”, Saad Cheffah, Vincent Huard, Remy Chevallier, Alain Bravaix, to be published in IEEE IRPS Proc., pp 1-2, 2011..