 | Sébastien Martinie |
| IM2NP Bâtiment IRPHE 49, rue Joliot Curie - BP 146 Technopôle de Château - Gombert 13384 Marseille Cedex 13 France | |
| téléphone : +33 (0) 4 13 55 21 07 | |
| mail : sebastien.martinie@im2np.fr |
| | Sébastien Martinie |
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Postdoc (Université d'Aix-Marseille)
Membre du Conseil de Laboratoire
Domaine d'activité :
- Modélisation compacte, numérique et formalisme théorique associée de dispositifs nanométrique (ex : transistor à nanofil).
- Implémentation de modèles dans un simulateur circuit (Verilog-A/Eldo) et simulation de circuits (inverseurs CMOS, oscillateurs en anneau, mémoire SRAM, porte XOR).
- Développement de modèles de mobilité, implémentation sous environnement TCAD (fonctions C interpreter, Silvaco et Synopsys) et simulation numérique au niveau dispositif et circuit (simulation de type Mixed-Mode).
- Développement de simulateur numérique dédié à l’étude de l’impact des phénomènes radiatifs naturels sur des plans mémoire.
Publications :
Chapitre d’ouvrage :
[1] S. Martinie, G. Le Carval, D. Munteanu, M.-A. Jaud, J.L. Autran, “A simple compact model to analyze the impact of ballistic and quasi-ballistic transport on ring oscillator performance”, in “Emerging Technologies et circuits”, Edited by A. Amara, T. Ea, M. Belleville, 2010.
Articles dans des revues internationales à comité de lecture :
S. Martinie, G. Le Carval, D. Munteanu, S. Soliveres, J.L. Autran, “Impact of ballistic and quasi-ballistic transport on performances of Double-Gate MOSFET-based circuits”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 9, pp. 2443-2453, Septembre 2008, ISSN: 0018-9383, Digital Object Identifier 10.1109/TED.2008.927656
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “New unified analytical model of backscattering coefficient from low to high field conditions in quasi-ballistic transport”, IEEE Electron Device Letters, vol. 29, no. 12, pp. 1392-1394, Décembre 2008, ISSN: 0741-3106, DOI 10.1109/LED.2008.2007305
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “Analytical modelling and performance analysis of Double-Gate MOSFET-based circuit including ballistic/quasi-ballistic effects”, Molecular Simulation, Janvier 2009, ISSN: 1029-0435, DOI: 10.1080/08927020902769836.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “Physics-based analytical modeling of quasi-ballistic transport in Double-Gate MOSFETs: from device to circuit operation”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 56, no. 11, pp. 2692-2702, Novembre 2009, ISSN: 0018-9383, DOI 10.1109/TED.2009.2030540.
Articles dans des conférences internationales avec des actes (proceedings) :
S. Martinie, G. Le Carval, D. Munteanu, M.-A. Jaud, J.L. Autran, “A simple compact model to analyze the impact of ballistic and quasi-ballistic transport on ring oscillator performance”, in Proc. IEEE ICICDT, pp. 273-276, Grenoble, France, Mai 2008, ISBN: 978-1-4244-1810-7, Digital Object Identifier 10.1109/ICICDT.2008.4567294.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, M.-A. Jaud, J.L. Autran, “Analytical modelling and performance analysis of Double-Gate MOSFET-based circuit including ballistic/quasi-ballistic effects”, NSTI-Nanotech WCM, ISBN 978-1-4200-8505 Vol. 3, pp. 837-840, Boston, Mai 2008, ISBN: 978-1-4200-8505-1.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “A New Unified Compact Model for Quasi-Ballistic Transport: Application to the Analysis of Circuit Performances of a Double-Gate Architecture”, in Proc. SISPAD, pp. 377–380, Hakone, Japan, Septembre 2008, ISBN: 978-1-4244-1753-7, Digital Object Identifier 10.1109/SISPAD.2008.4648316.
S. Martinie, S. Vedraine, D. Munteanu, G. Le Carval, V. Barral, J.L. Autran, “Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances”, in Proc. Fringe-ESSDERC, Edinburgh, Scotland, Septembre 2008, ISBN: 978-1-4244-2363-7.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, M.-A. Jaud, J.L. Autran, “Analytical modelling of Ballistic and Quasi-Ballistic Nanowires: validation and application to CMOS architecture”, NSTI-Nanotech WCM, ISBN 978-1-4398-1784-1 Vol. 3, pp. 570-573, Houston, Mai 2009, ISBN: 978-1-4398-1784-1.
S. Martinie, M.-A. Jaud, D. Munteanu, O. Thomas, G. Le Carval, J.L. Autran, “Performance study of Ballistic and Quasi-Ballistic on Double-Gate MOSFETs 6T SRAM cell”, NSTI-Nanotech WCM, ISBN 978-1-4398-1784-1 Vol. 3, pp. 359-362, Houston, Mai 2009, ISBN: 978-1-4398-1784-1
S. Martinie, E. Sarrazin, D. Munteanu, S. Barraud, G. Le Carval, J.L. Autran, “Compact Modeling of Quasi-Ballistic Transport and Quantum Mechanical Confinement in Nanowire MOSFETs: Circuit Performances Analysis”, SISPAD, pp. 139-142, San-Diego, USA, Sep. 2009, ISBN: 978-1-4244-3974-8, Digital Object Identifier 10.1109/SISPAD.2009.5290229.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, E. Sarrazin, S. Barraud, M-A. Jaud, J.L. Autran, “Numerical simulation of ballistic/quasi-ballistic transport in FDSOI and Nanowire MOSFETs: analysis of CMOS inverter static performances”, in Proc. Fringe-ESSDERC, Athens, Greece, Septembre 2009, ISBN: 978-1-4244-4353-6.
S. Martinie, S. Uznanski, J.L. Autran, P. Roche, G. Gasiot, D. Munteanu, S. Sauze, P. Loaiza, G. Warot, M. Zampaolo, “Alpha-Emitter Induced Soft-Errors in CMOS 130nm SRAM: Real-Time Underground Experiment and Monte-Carlo Simulation”, in Proc. IEEE ICICDT, pp. 220-223, Grenoble, France, June 2010.
S. Martinie, S. Uznanski, J.L. Autran, P. Roche, G. Gasiot, D. Munteanu, S. Sauze, P. Loaiza, G. Warot, M. Zampaolo, “A GPU/CUDA Implementation of the Collection-Diffusion Model to Compute SER of Large Area and Complex Circuits”, in Proc. IEEE ICICDT, pp. 67-70, Grenoble, France, June 2010.
J. Dura, S. Martinie, D. Munteanu, M.-A. Jaud, S. Barraud, J.L. Autran, “Analytical model of quantum threshold voltage in short-channel nanowire MOSFET including band structure effects”, accepted to NSTI WCM 2010.
M-A. Jaud, P. Scheiblin, S. Martinie, M. Cassé, O. Rozeau, J. Dura, J. Mazurier, A. Toffoli, O. Thomas, F. Andrieu, O. Weber "TCAD Simulation Vs. Experimental Results in FDSOI Technology: from Advanced Mobility Modeling to 6T-SRAM Cell Characteristics Prediction", accepted to SISPAD 2010.
S. Martinie, J.L. Autran, S. Uznanski, P. Roche, G. Gasiot, D. Munteanu, S. Sauze, P. Loaiza, G. Warot, M. Zampaolo, “Alpha-Particle Induced Soft-Error Rate in CMOS 130nm SRAM”, accepted to RADECS 2010.
Autre communications (rapports, séminaires, workshops) :
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, « Modélisation du transport balistique dédiée à la simulation de petits circuits à base de transistors MOS Double-Grille », GDR simulations multi physique Lilles, Décembre 2007.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, « Modélisations analytiques du transport electronique dans les dispositifs avancés », JNRDM 2007, Mai 2007.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “ Impact du transport balistique et quasi-balistique sur les performances de circuit à base de transistor MOS Double-Grille ”, JNRDM 2008, Mai 2008.
S. Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, “ Impact du transport balistique/quasi-balistique sur la simulation d’élément de circuits à base de transistor Double-Grille ”, GDR nanoélectronique à Paris : De la réalité et de l’intérêt du transport balistique dans les composant nanoélectroniques, 5 Mai 2009.
S.Martinie, D. Munteanu, G. Le Carval, J.L. Autran, « Modélisation analytique de transistors Double-Grille (quasi-)balistique : du dispositif au circuit », GDR « De la modélisation des nanodispositifs aux circuits innovants » décembre 2009.
