Yoann Mamy Randriamihaja
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Doctorant (Université d'Aix-Marseille)

Domaine d'activité : fiabilité de l’oxyde de grille des transistors MOS

Sujet de thèse :

Etude de la Fiabilité des nouvelles technologies CMOS et BiCMOS à empilement de grille High-K /Grille Métallique

Directeur de thèse : Alain Bravaix
Tuteur : Vincent Huard

Financement : CIFRE
Ecole Doctorale : ED 353

Publications

[1.] “MOSFET'S Hot-Carrier Degradation Characterization and Modeling at a Microscopic scale”, Y. Mamy Randriamihaja, A. Zaka, V. Huard, M. Rafik, D. Rideau, D. Roy, A. Bravaix, IEEE IRPS proc., pp. 1-2, 2011.

[2.] “Oxide Defects Generation Modeling and Impact on BD Understanding”, Y. Mamy Randriamihaja, V. Huard, A. Zaka, S. Haendler, X. Federspiel, A. Bravaix, M. Rafik, D. Rideau, D. Roy, IEEE IRPS proc., pp. 1-4, 2011.

[3.] “Multiple Microscopic Defects Characterization Methods to Improve Macroscopic Degradation Modeling of MOSFETs”, Y. Mamy Randriamihaja, A. Bravaix, V. Huard, D. Rideau, M. Rafik, D. Roy, IEEE Int. Integrated Reliability Workshop (IIRW), Lake Tahoe (USA), pp. 61-66, 2010.

[4.]“Small signal analysis of electrically-stressed oxides with Poisson-Schroedinger based multiphonon capture model”, Garetto, D.; Randriamihaja, Y.M.; Rideau, D.; Dornel, E.; William, F.C.; Schmid, A.; Huard, V.; Jaouen, H.; Leblebici, Y.; Computational Electronics (IWCE), 14th International Workshop on Digital, pp. 1 – 4, 2010.

[5.] “Off State Incorporation into the 3 energy mode Device Lifetime Modeling for advanced 40nm CMOS nodes”, A. Bravaix, C. Guérin, D. Goguenheim, V. Huard, D. Roy, C. Besset, S. Renard, Y. Mamy Randriamihaja, E. Vincent, IEEE IRPS proc., pp. 55-64, 2010


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