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Instabilités de croissance aux interfaces solide-solide Formation de l'état initial en solidification dirigée. Analyse des étapes de fusion et de solidification Morphologies localisées en solidification Etude numérique des formes de croissance Comparative study of the wettability by liquid Pb of the surfaces of decagonal Al13Co4 and cubic AlCo thin films Etude de la ségrégation de surface de l'antimoine par croissance de couches Si(Ge) par EJM Transport de matière à l'échelle nanométrique How to measure accurately mass transport in thin films by AES Equilibrium surface segregation enthalpy of Ge in concentrated amorphous SiGe alloys Kinetics of morphological changes in nanoscale metallic films followed by AES (Auger Electron Spectroscopy) Metallisation of SiGe : reaction on Ni thin films on Si, Ge and Si1-x Gex Sb diffusion in Si1-x Ge x /Si(100) hetero-structures : chemical and stress effects Effect of alloy element on the thermal stability of NiSi and the nucleation of NiSi2 Fiabilité des mémoires FeRAM : du condensateur à la cellule mémoire Size effects on the stabilization of ultrafine zirconia nanoparticles X ray diffraction and reflectivity of epitaxial VO2(B) thin films on Si(111) from 2 nm to 32 nm Nanostructuration et dispositifs de surface
Electron Spin Resonance in S=1/2 Quasi-One-Dimensional Antiferromagnet with DM interaction: BaCu2Ge2O7 Amas magnétiques dans les nickelates de lithium Théorie de la RPE et interaction de Dzyaloshinsky-Moriya Frustration orbitale et magnétique dans LiNiO2 Oxyde de cuivre Cu3Bi(SeO3)2O2Cl à réseau Kagomé S = 1/2 : Etude de la transition métamagnétique Modèle de Hubbard à 2 orbitales Systèmes d'impuretés magnétiques : Modèles d'Anderson et de Hubbard Modèles appliqués aux systèmes composites Echange magnétique et orbital and LiNi02 Dégénérescence orbitale et corrélations électroniques dans les oxydes de métaux de transition
Mémoire non volatile Méthodes numériques pour la simulation de cellules mémoire non volatiles Modélisation du TMOS : applications mémoires Conception, test et caractérisation des circuits intégrés Matériaux multicouches pour photolithographie extrême UV : dispostifs optiques pour le rayonnement X-UV Dispositifs ultimes sur silicium Transport non-stationnaire : impact sur la technologie SOI 0.1 micron Oxydes ultra-minces et dielectriques high-k Matériaux pseudomorphiques : Structure de bandes et caractéristiques C-V Dispositifs MOS avancés et fiabilité Formation de nanodomaines dans les monocouches mixtes d'alkylsilanes auto-assemblées sur silicium. Application à l'électronique moléculaire Fiabilité sous injections de porteurs chauds Circuits intégrés faible consommation et sécurisation Fiabilité des oxydes ultra-minces Fabrication et étude de dispositifs microcapteurs pour la détection de gaz Tests et fonctionnement des capteurs Conduction dans les capteurs WO3 Microcapteurs d'ozone à base de WO3 : augmentation de la sélectivité Amélioration de la sélectivité des microcapteurs par traitement du signal
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