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Janvier 31, 2012 |
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Revue sur le silicène - Un nouveau candidat pour l'électronique
De très nombreux calculs théoriques, en liaisons fortes comme ab initio, ont montré que le silicène avait une stabilité intrinsèque (soit plat, soit faiblement corrugué) et présentait des propriétés électroniques quasi identiques à celles du graphène [...]
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Surface Science Reports 67 (2012) 1–18
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Structure atomique tridimensionnelle de nano-clusters métastables dans les semi-conducteurs dopés.
Le dopage des semi-conducteurs est une étape fondamentale pour le contrôle de leurs propriétés électriques, magnétiques ou optiques [...]
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Physical Review Letters 107, 186104 (2011)
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