 | Damien Barakel |
| IM2NP Faculté des Sciences et Techniques Avenue Escadrille Normandie Niemen Service 231 13397 Marseille Cedex 20 France téléphone : + 33 (0) 4 91 28 86 13 fax : +33 (0) 4 91 28 88 52 mail : damien.barakel@univ-cezanne.fr |
| | Damien Barakel |
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Maître de Conférences, Université d'Aix-Marseille Aix – Marseille III
Domaines d'activité :
- Cellules photovoltaïques Silicium: Modélisation de structures à base de silicium pour application dans le domaine du photovoltaïque, fabrication, développement de procédés, caractérisations optiques (ellipsométrie, AFM,...), électriques et structurales de matériaux (LIBC : light beam induced current, mesures de longueur de diffusion et de durée de vie des porteurs minoritaires,…).
- Matériaux micro and nanostructures pour l’optoélectronique: modélisation, fabrication en salle blanche, caractérisations optiques, électriques et structurales.
Publications récentes dans des revues avec comité de lecture
D. Barakel, A. Ulyashin, I. Périchaud, S. Martinuzzi, "n-p junction formation in p-type silicon by hydrogen ion implantation" Elsevier Sciences, Solar Energy Materials and Solar Cells 72, 2002, p285-290.
L. Ottaviani, D. Barakel, V. Vervisch, M. Pasquinelli, "Electrical characterizations of Hydrogenated 4H-SiC epitaxial samples" Solid State Phenomena 108-109, 2005, p677-682.
Martinuzzi S., Gauthier M., Barakel D., Perichaud I., Le Quang N., Palais O., Goaer G..- Minority carrier bulk lifetimes through a large multicrystalline silicon ingot and related solar cell properties..- European Physical Journal : Applied Physics,.- vol. 40, p. 83-88, 2007
Interventions dans des colloques internationaux:
D. Barakel and S. Martinuzzi, "Donor Behavior of Implanted Hydrogen Ion in Silicon Wafers" MRS Spring Meeting 2004, April 2004, San Francisco, USA (Oral). Materials Research Society, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 813 @ 2004, p49-54. (accepté aprés examen)
D. Barakel, S. Martinuzzi, H. Faïk, F. Torregrosa, " P+N silicon solar cells prepared by plasma immersion ion implantation" 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, June, 2004, Paris, France (poster)
F. Torregrosa, C. Laviron, H. Faïk, D. Barakel, F. Milesi, S. Becaccia, "Realisation of Ultra Shallow Junction by plasma Based Ion Implantation. Application to solar Cells. " IVth International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation, November 2003, San Antonio, USA (poster)
D. Barakel, S. Becaccia, S. Martinuzzi, H. Faïk, F. Torregosa, "Silicon Solar Cells obtained by plasma Ion Immersion Implantation technique" EuroPV 2003 Euroconference Photovoltaic Devices : "Photovoltaics and Environment", September 2003, Granada, Spain (poster)
D. Barakel, S. Martinuzzi, I. Périchaud, F. Warchol, S. Ashok, "Improvement of EMCP mc-Si wafers after hydrogenation by plasma immersion" International Workshop On Semiconductor Defect Engineering:Progress and Prospects, march 2002, Orleans, France (oral).
D. Barakel, A. Ulyashin, I. Périchaud, S. Martinuzzi, "n-p junction formation in p-type silicon by hydrogen ion implantation" E-MRS Spring Meeting 2001, June 2001, Strasbourg, France (Poster) (accepté après examen)
D. Barakel and S. Martinuzzi, "Counterdoping of P-type silicon by hydrogen ion implantation" 11th Workshop on Crystalline Silicon, June 2001, Estes Park – Co, USA proc. p225-228
