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Equipe Réactivité et Diffusion aux Interfaces
Reactivity and Diffusion at Interfaces Team


Adresse : IM2NP
Faculté des Sciences et Techniques
Aile 1, niveaux 3 et 4 - services 131 et 141
Avenue Escadrille Normandie Niemen
13397 Marseille Cedex 20
France
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L'analyse chimique à l'échelle atomique des métaux, des semi-conducteurs et des oxydes est maintenant possible à l'Im2np grâce à l'acquisition d'une sonde atomique assistée par laser unique en France

>>> plus d'information sur la sonde atomique tomographique

Thèmes de recherche :
La compréhension de la réactivité à l'état solide et de la diffusion à l'échelle nanométrique passe par le développement de méthodologies nouvelles aussi bien sur le plan conceptuel que sur le plan expérimental.
Sur le plan conceptuel, les films minces ou multicouches de taille nanométrique possèdent un grand rapport interfaces/volume, qui nécessite de prendre en compte : (i) le comportement des interfaces lors des transformations de phases afin de maîtriser la formation et la stabilité de phases stables ou métastables, (ii) le rôle des interfaces sur la diffusion.
Sur le plan expérimental, nous avons développé (i) une approche originale basée sur l'utilisation de techniques d'analyse de surface pour étudier les aspects cinétiques du transport de matière tant au voisinage d'une interface que dans des matériaux nanocristallins, (ii) des techniques in situ et en temps réel (calorimétrie différentielle, diffraction X) qui apportent des informations cinétiques sur la réactivité et la redistribution à l'échelle nanométrique. Des modèles originaux ont également été proposés pour simuler les processus de diffusion et de redistribution. Les matériaux étudiés à fort potentiel industriel sont principalement des intermétalliques, des siliciures mais également des matériaux métalliques et des oxydes.


MAM 2012 Grenoble, 11-14 mars 2012
Materials for Advanced Metallization Annual Workshop

RDI team got the best video price for the flying dislocation !

The interaction of Ni atoms with dislocation loops within As+-implanted (001)Si wafers have been studied by atom probe tomography (APT) and transmission electron microscopy (TEM). The presence of pseudo-hexagonal dislocation loops was observed by transmission electron microscopy. Accumulation of Ni was observed by APT at the edges of a pseudo-hexagonal dislocation loop, after Ni deposition [10] and after heat treatment at 320°C (Fig 1) .The orientation of the loop was determined to be within the (111) plane and elongated along the [110] direction. Concentrations of more than 10 at% in Ni were measured at the edges of the loop after Ni deposition and remain constant after heat treatment. The localisation of Ni at the edges of this pseudo-hexagonal loop can be due to segregation at the dislocation core, to a Cottrell atmosphere or to precipitation/clustering.

Mots clefs :
Cinétique, thermodynamique, diffusion, ségrégation, - Engineering cinétique, Métallisation -Interfaces, surface, joints de grain - Multicouches, films minces, nanophases- Intermétalliques, siliciures- dynamique de charge, charges d‚espace, claquage diélectrique
Equipements spécifiques :
 Élaboration
 Evaporation par faisceau électronique
 Pulvérisation
 Fusion-lévitation
 Traitement thermique
 Fours classiques sous vide, sous atmosphère
 Recuit thermique rapide
 Techniques de caractérisation
 Diffraction de rayons X: un diffractomètre et deux chambres en température sous vide
 Calorimétrie: calorimètres différentiels à balayage (DSC) et microcalorimètre Calvet
 Mesure de résistance en température
 Spectrométrie Auger + LEED: 2 systèmes avec dépôt et chauffage in situ (1 classique et 1 à balayage)
 Spectroscopie d‚annihilation de positrons (PAS)
 MEB équipé pour les techniques SEMM, ICM
Sonde atomique tomographique
Partenaires :
STMicroelectronics, ATMEL, CEA-LETI, Ministère ACI Nouveaux matériaux, Projet plateforme caractérisation CIM-PACA, Fonds Social Européen (FSE)

Collaborations scientifiques :
GDR Relax, CPR Précipitation, Réseau d'excellence CMA, Balaton

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