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Equipe Mémoires |
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| Adresse : IM2NP Polytech' Marseille, Dpt Microélectronique Technopôle de Château-Gombert 38, Rue Frédéric Joliot-Curie 13451 Marseille Cedex 20 France |
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 Karlsuss 8’& Cascade 8'
Testeur Agilent 93000 SOC series & Prober Electroglas 1rgos 200/300 mm |
Thèmes de recherche : L’équipe associe les activités scientifiques de 27 chercheurs (5 Professeurs des Universités, 7 Maîtres de conférences, 15 Doctorants). Un large panel de thèmes portant sur les dispositifs mémoires (isolés et en matrice) sont traités allant de l’étude de nouveaux matériaux (Ferroélectrique, High-k…) à la conception de véhicules et de logiciels de test en passant par la modélisation, la simulation, la caractérisation et l’étude de la fiabilité des mémoires à architectures classiques, innovantes et avancées. Les travaux de recherche de l’équipe s’articulent autour de quatre grandes thématiques :  MeMatA (Mémoires à Matériaux Avancés) s’intéresse à l’étude de la fiabilité, de l’endurance et de la consommation des mémoires de type FeRAM. Cette thématique met notamment en évidence la corrélation entre la fiabilité des composants et la dégradation des propriétés électriques et micro-structurales des matériaux intégrés. MISSi (Mémoires Innovantes Sur Silicium) a pour vocation d’étudier, de modéliser et de simuler des mémoires à architectures innovantes incluant aussi la mise au point de nouvelles méthodes de caractérisation. Nous travaillons ainsi sur des mémoires volatiles et non-volatiles telles que : Flash simple-poly, embeded 1T1C DRAM, 1T DRAM (Bulk, PD-SOI, FD-SOI), Flash à nano-cristaux de silicium… AP (Analyses de Performances) travaille sur l’optimisation des cellules mémoires en fonction des contraintes d’utilisation pour par exemple diminuer les tensions appliquées au plan mémoire ou encore augmenter la fiabilité des cellules. Pour cela, AP travaille au niveau de l’architecture de cellule et des signaux appliqués tout en tenant compte de l’environnement de la cellule. DiTCI (Diagnostic et Test des Circuits Intégrés) a pour but de mettre au point des outils de test (logiciels et circuits) permettant de déterminer (avec une certaine probabilité) l’origine de la défaillance d’un plan mémoire et sa logique associée mais aussi d’extraire les principales caractéristiques des cellules élémentaires dans un plan mémoire.
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| Mots clefs : Mémoires, plan mémoires, Flash, EEPROM, 1T DRAM, 1T1C DRAM, FeRAM, Test |
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| Equipements spécifiques : Plusieurs bancs de tests permettent à l’équipe de caractériser, en température, les dispositifs mémoires seuls et en matrice. L’équipe dispose aussi de plusieurs stations de travail ainsi que des logiciels de simulation et de mesures : ISE, ELDO, IC-CAP, Mathcad |
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| Partenaires : Inside Contactless, Atmel, STMicroelectronics, Chartred Semiconductors, Alliance Crolles, CIM-PACA, Pôle de compétitivité SCS, AMI Semiconductor, CEA-Léti, IMEP, LPM, IMEC Collaborations : |
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