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Equipe Nanostructures Semiconductrices Epitaxiées
Epitaxial Semiconductor Nanostructures Team
Adresse :
IM2NP
Faculté des Sciences et Techniques
Bat. Salle blanche (face labo Fresnel)
Case 142
Avenue Escadrille Normandie Niemen
13397 Marseille Cedex 20
France

D’autre part, en ce qui concerne l’auto-organisation des nanostructures, le but est d’élaborer des structures modèles propres et parfaitement contrôlées, servant de briques élémentaires pour la fabrication de composants micro et nanoélectroniques innovants tels que les nano-FET, DOTFET, mémoires à nanocristaux... Pour étudier ces nanostructures, nous avons développé des moyens spécifiques de croissance, d’observation et de caractérisation des surfaces et interfaces à l’échelle atomique.

Le transport électronique, les propriétés optiques et le confinement quantique qui mettent en évidence des phénomènes physiques nouveaux résultant de la diminution des dimensions sont aussi étudiés.

Les différents sujets étudiés concernent notamment : la réalisation de structures MOSFET à canal contraint de Si et de SiGe; les mécanismes d’incorporation des dopants; la caractérisation électrique et optique des défauts; l’auto-assemblage de boîtes quantiques de Ge ; la nanostructuration des substrats par instabilité de croissance et par nanolithographie FIB ; le couplage in situ de la nanotechnologie FIB et de la nanoélaboration EJM ; la fabrication et les propriétés magnétiques des nanostructures d’alliages très dilués SiGeMn.

Mots clefs :
 Nanostructures auto-organisées, Nanoélaboration et nanocaractérisation, Nanoélectronique, Nanotechnologie, Si (Silicium), Ge (Germanium), Epitaxie par jet moléculaire 

Equipements spécifiques :
- MBE, AFM, XPS, UPS, Auger, RHEED, LEED
- Salle blanche et ses équipements



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(a) gravure par FIB (focus ion beam) : positionnement d'un échantillon de silicium sur le carroussel, mise sous vide, création du faisceau d'ions, réglage pour la gravure de l'échantillon

(b) croissance MBE : introduction d'un échantillon de silicium dans la chambre de croissance, contrôle informatique du dépôt

Partenaires :
Union Européenne, Ministère, STMicroelectronics

Collaborations scientifiques :
• FORUM FIB
• SIGENET
• MINEFI
• Universités de Rome (Italie), de Monastir (Tunisie), NRC Ottawa (Canada), University of Virginia

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