July 2-6th 2018
7th International Conference NANOSEA NANO-structures and nanomaterials SElf-Assembly
https://nanosea.en-travaux.com/
- Coordinateur: Jean-Noël AQUA (INSP, Paris)
- Coordinatrices adjointes: Isabelle BERBEZIER (IM2NP, Marseille) et Chantal FONTAINE (Laas, Toulouse)
Présentation du GDR CNRS Pulse (Processus ULtimes en épitaxie de SEmiconducteurs)
L’intérêt de disposer de nanostructures semi-conductrices de type boîtes, puits et fils quantiques possédant des propriétés et géométries singulières génère un nouvel engouement pour l’hétéro-épitaxie. L’objectif ambitieux est de contrôler la croissance à l’échelle atomique pour maîtriser les propriétés physiques des nano-objets ainsi façonnés. Si les mécanismes de base de la croissance par épitaxie et leurs particularités pour les semi-conducteurs sont souvent connus, leur maîtrise dans des systèmes spécifiques reste difficile, particulièrement à l’échelle locale, compte tenu de l’intervention de nombreux paramètres. Cette maîtrise devient pourtant cruciale, eu égard à l’utilisation des nanostructures semi-conductrices dans des composants de nouvelle génération dont les propriétés électroniques et optiques dépendent des caractéristiques structurales du nano-objet, qui sont déterminées lors de leur épitaxie. Elle nécessite une compréhension plus locale et complète des effets physiques à l’œuvre et de leurs interactions.
La mission de ce groupement de recherche est de rassembler la communauté travaillant sur l’épitaxie de systèmes à base de semi-conducteurs afin d’appréhender de façon globale les difficultés liées aux processus de croissance, les procédés innovants développés, les nouvelles directions suivies et les questions ouvertes tant au niveau théorique qu’expérimental qui nécessitent l’analyse globale des résultats quels que soient les techniques et systèmes étudiés, afin de permettre des avancées majeures.
Le but est de construire des connexions entre les différentes techniques d’épitaxie utilisées (MBE, VPE, etc) et les différents systèmes hétéroépitaxiaux impliquant des matériaux de la même filière (IV, III-V, ou II-VI) ou d’autres filières (ex : II-V/IV). Le couplage des différentes approches, enrichi de la confrontation entre expérience et théorie, vise à éclairer différemment et à faire progresser la compréhension des phénomènes à l’échelle nanométrique et le développement de nouveaux procédés d’épitaxie et de nouvelles hétérostructures.
Le projet scientifique repose sur neuf thématiques :
- Nouveaux concepts en germination, croissance
- Hétéroépitaxie sur silicium
- Couplage entre théorie et expérience
- Couplage composition, contrainte et morphologie en hétéro-épitaxie des semiconducteurs
- Nanostructuration des substrats
- Organisation et Epitaxie sur substrat fonctionnalisé
- Croissance sélective, épitaxie latérale
- Nouvelles approches de caractérisation locale
- Intégration monolithique hétérogène
