Départements scientifiques : INP - INSIS
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Thématique 1. Modélisation et couplage entre théorie et expérience
- Pierre MÜLLER (CINAM, Marseille)
- Olivier PIERRE-LOUIS (IML, Lyon)
- Laurent PIZZAGALLI (Pprim, Poitiers)
Thématique 2. Intégration monolithique hétérogène et hétéroépitaxie sur silicium
- Yvon CORDIER (CRHEA, Valbonne)
- Charles CORNET (FOTON, Rennes)
- Guillaume SAINT-GIRONS (INL, Lyon)
Thématique 3. Organisation sur substrat fonctionnalisé et nanostructuré, croissance sélective et épitaxie latérale
- Yamina André (Institut Pascal, Aubière)
- Ludovic DESPLANQUE (IEMN, Villeneuve d’Asq)
- Xavier WALLART (IEMN, Villeneuve d’Asq)
Thématique 4. Caractérisations ultimes : locales, microscopiques et globales
- Patrick LEFEVRE (CEA Saclay, Orsay)
- Gilles RENAUD (CEA, INAC, Grenoble)
- Philippe VENNEGUES (CRHEA, Valbonne)
Thématique 5. Nouvelles techniques instrumentales liées à l’épitaxie
(contrôle de croissance, analyses de surface in situ etc.)
et nouveaux systèmes (couplage, clusters etc.)
- Alexandre ARNOULT (LAAS, Toulouse)
- Paola ATKINSON (INSP, Paris)
- Antoine RONDA (IM2NP, Marseille)
Thématique 6. Propriétés (optiques, électroniques, etc.) des systèmes épitaxiés et applications
- Michele AMATO (C2N, Orsay)
- Hélène CARRERE (LPCNO, Toulouse)
- Noëlle GOGNEAU (C2N, Orsay)
Thématique 7. Nouveaux matériaux semiconducteurs (oxydes, organiques) et nouveaux systèmes (1D, 2D, cœur-coquille, etc...)
- Mathieu JAMET (CEA, INAC, Grenoble)
- Holger VACH (Polytechnique, Palaiseau)
- Dominique VIGNAUD (IEMN, Villeneuve d’Asq)
Thématique 8. Nanofils
- Sébastien PLISSARD (LAAS, Toulouse)
- Vincent CONSONNI (LMGP, Grenoble)
- Vincent SALLET (GEMAC, Versaille)
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Coordonnateur : Jean-Noël Aqua (INSP Paris)
Coordonnatrices adjointes : Isabelle Berbezier (IM2NP Marseille) et Chantal Fontaine (LAAS Toulouse)
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