1ère réunion plénière : 3-5 Juillet 2013 à Aix-en-Provence Processus Ultimes d’épitaxie de Semiconducteurs
PROGRAMME voir ci-dessous télécharger le fichier .pdf	INSCRIPTIONS pour s'inscrire, merci de copier/coller les informations ci-dessous et les renvoyer par mail à isabelle.berbezier@im2np.fr NOM Prénom : Laboratoire : Adresse : Code postal / Ville : tel. : adresse mail :	SOUMISSION D'UN RESUME remplir le fichier téléchargeable ici
Présentations invitées Nicolas Combe (CEMES, Toulouse) Auto-organisation à l'échelle atomique induite par une onde acoustique stationnaire Jean-Noel Aqua (INSP, Paris) Auto-organisation de boîtes quantiques sur un pattern : une instabilité contrainte Maxime Ignacio (ILM, Lyon) Solid state wetting on nano-pillar arrays : dynamics and elasticity effects Frank Glas (LPN, Macroussis) Modeling and quantitative analysis of self-catalyzed GaAs nanowire growth Christophe Bichara (CINAM, Marseille) Etude par simulation numérique de la croissance catalytique de nanotubes de carbone et de graphène Pierre Müller (CINAM, Marseille) Démouillage à l'état solide: résultats récents Joël Eymery (INAC CEA) Mécanismes de croissances de nanofils et de leurs hétérostructures: un enjeu pour des composants opérationnels Jesus Zuniga-Perez (CRHEA) Croissance MOVPE de micro/nanostructures GaN sur substrats patternés" Pierre Ruterana (CIMAP, Caen) TEM haute résolution et ses variantes Etienne Talbot (GPM, Rouen) Sonde atomique Yves Garreau (LMPQ, Paris) Analyse par rayons X au synchrotron Yvon Cordier (CRHEA, Sophia-Antipolis) Mesures in-situ et ex-situ des déformations dans les films GaN/AlN épitaxiés Y. André (Inst. Pascal) HVPE et le contrôle des facettes développées  Marco Faustini (Laboratoire chimie Matière Condensée, Université Paris 6) Couches inorganiques nanostructurées préparées par auto assemblage: une nouvelle plateforme multifonctionnelle Jacques Gierak (LPN) Une expertise du LPN : Les faisceaux d’ions focalisés ultimes et leurs applications Bruno Gérard GaAs sur Si Romain Bachelet (INL) Intégration d'oxydes fonctionnels sur semiconducteurs Yann Genuist (CNRS - Grenoble) Dopage p des arséniures: cas de la cellule carbone à chauffage par bombardement électronique Yoann Cure (CEA - Grenoble) AnaRHEED: Logiciel d'analyse du RHEED suivi en temps réel du paramètre de maille Philippe Regreny (INL - Lyon) Développement de l'épitaxie par jets moléculaires pour la croissance d'oxydes pérovskites sur silicium	3 juillet 2013 12h30 : Buffet repas 14h00-14h15 : Présentation du GDR 14h15-17h15 : Présentations invitées Thématique 5. Nanostructuration des substrats Thématique 6. Auto-organisation et Epitaxie sur substrat fonctionnalisé Thématique 7. Croissance sélective et épitaxie latérale 17h15-17h45 : Pause café 17h45-19h30: Table ronde sur les thématiques N°5, N°6 et N°7 Animateurs N. Gogneau, A. Ronda, E. Gil 4 juillet 2013 9h00-11h30 : Présentations invitées Thématique 1. Nouveaux concepts en germination, croissance Thématique 3. Couplage entre théorie et expérience 11h30-12h00 : Pause café 12h00-13h00 : Table ronde sur les thématiques N°1 et N°3 Animateurs O. Pierre-Louis, P. Muller 13h00-14h30 : Lunch 14h30- 15h30 : Présentations courtes des posters 15h30-16h30 : Présentations invitées – Thématique N°10 Thématique 10. Développements instrumentaux 16h30-17h00 : Table ronde sur la thématique N°10 Animateur A. Arnoult 17h00-20h00 : Session Posters + Café 20h00 : Dîner du GDR 5 juillet 2013 9h00-11h30 : Présentations invitées - Thématiques N°2 et N°9 Thématique 2. Hétéroépitaxie sur silicium Thématique 9. Intégration monolithique hétérogène 11h30-12h00 : Pause café 12h00-13h00 : Table ronde sur les thématiques N°2 et N°9 Animateurs F. Semond, Y. Cordier, G. Saint Girons 13h00-14h00 : Lunch 14h00- 16h30 :  Présentations invitées - Thématiques N°4 et N°8 Thématique 4. Couplage composition, contrainte et morphologie en hétéro-épitaxie de semiconducteurs Thématique 8. Nouvelles approches de caractérisation locale 16h30- 17h30 : Table ronde sur les thématiques N°4 et N°8 Animateurs X. Wallart, P. Atkinson 17h30 : Conclusions de la réunion plénière