Soutenance de thèse de Mathilde LEMANG - 05/12/2018: Enjeux de siliciuration pour des technologies avancées de la microélectronique : étude de l'interaction entre les siliciures de NiPt et le phosphore.

Avis de Soutenance

Madame Mathilde LEMANG

MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES 

Soutiendra publiquement ses travaux de thèse intitulés

Enjeux de siliciuration pour des technologies avancées de la microélectronique : étude de l'interaction entre les siliciures de NiPt et le phosphore. 

dirigés par Monsieur Dominique MANGELINCK 

Soutenance prévue le mercredi 05 décembre 2018 à 10h00
Lieu :   Faculté des Sciences Avenue Escadrille Normandie Niemen - Case 142 - 13397 Marseille Cedex 20 (France) 
salle amphithéâtre Ponte 

Composition du jury proposé 

Mots-clés :   siliciures, dopants, microélectronique

Résumé : 

Dans le but d’intégrer des technologies CMOS avec des cellules mémoires, une seule étape de siliciuration de tous les contacts permettrait de diminuer les couts et de faciliter l’intégration. La formation de siliciure simultanément au niveau des sources, drains et grilles avec du NiPt(10 at.%) est nécessaire pour la technologie FD-SOI parce que cette dernière induit des spécifications exigeantes en ce qui concerne la siliciuration. En effet, le siliciure formé avec le procédé Salicide se doit d’être très fin et stable pour contenir le phénomène de diffusion anormale du Ni qui pourrait être à l’origine de fuites de la jonction. D’un autre côté, de nouvelles routes d’intégration ainsi que la réduction des dimensions des cellules mémoires nécessitent l’incorporation de dopants d’une manière alternative à l’implantation ionique. L’introduction de dopage au phosphore de manière in-situ pendant le dépôt de silicium nécessite la compréhension de l’interaction du siliciure et des dopants. Cette étude présente la siliciuration sur silicium dopé au phosphore. Différents types de dopage sont étudiés dans des substrats mono et poly-cristallins afin de correspondre aux multiples types de substrats de silicium qui sont présents dans les technologies et qui nécessitent une siliciuration. La redistribution du phosphore entrainée par la formation du siliciure est étudiée et discutée à l’aide de caractérisations par sonde atomique tomographique et spectrométrie de masse à ionisation secondaire à temps de vol. De plus, la réaction à l’état solide est étudiée à l’aide de diffraction par rayons-X afin de comprendre l’impact des dopants sur la séquence de phases. Finalement, la redistribution des dopants observée expérimentalement est étayée par des simulations basées sur un modèle par éléments finis.