Thèmes de recherche :

L’équipe « Mémoires », forte de 10 enseignants-chercheurs (4 PR et 6 MCF) et d’une dizaine de chercheurs non permanents (doctorants et Post-doctorants), adresse un large panel de solutions mémoires à tous les stades de maturité.

Pour ce faire, une approche globale des dispositifs électroniques de mémorisation est mise en œuvre, allant des matériaux fonctionnels constituant l’élément de mémorisation, jusqu’au circuit mémoire en passant par les dispositifs mémoires isolés ou matricés. Les études menées sur l’ensemble de la chaîne de valeur s’appuient sur des moyens matériels de caractérisation et de test adaptés à chaque niveau d’étude. En effet, l’équipe dispose de moyens de nano-caractérisation (AFM) des matériaux fonctionnels constituant l’élément de mémorisation, d’un cryoprober 200mm pour les analyses physiques fines, en passant par des bancs de caractérisation sous pointes (ex: pober 300mm semi-automatique) pour les éléments mémoires isolés ou matricés. De plus, des compétences fortes en modélisation sont développées pour couvrir là aussi l’ensemble de la chaîne de valeur, allant de la modélisation des mécanismes physiques responsables du changement d’état logique, au développement de modèles compacts. Ce travail de modélisation et de caractérisation permet ainsi d’alimenter les activités de conceptions et de simulations circuits de l’équipe.

Les thèmes de recherche de l’équipe « Mémoires » sont organisés autour de 2 thématiques majeures:

Fiabilité, Optimisation et Sécurité

• Caractérisation et modélisation de la fiabilité des mémoires émergentes résistives (RRAM)

• Prise en compte des aspects sécuritaires sur les Mémoire Non-Volatile (NVM) conventionnelles et émergentes

Développement de Solution Innovantes

• Conception et sécurisation de NVM émergentes pour les applications ultra basse consommation.

• Utilisation des mémoires résistives pour des applications biomimétiques.

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Research Themes:

The "Memories" team, comprising 10 faculty researchers (4 Full Professors and 6 Associate Professors) and around ten non-permanent researchers (PhD students and Post-doctoral researchers), addresses a wide range of memory solutions at various stages of maturity.

To achieve this, a comprehensive approach to electronic memory devices is employed, covering everything from the functional materials that make up the memory element to the memory circuit, including isolated or matrixed memory devices. The studies conducted across the entire value chain are supported by characterization and testing equipment tailored to each level of study. The team has nano-characterization tools (e.g., AFM) for the functional materials that form the memory element, a 200mm cryoprobe for detailed physical analyses, and probe stations (e.g., semi-automatic 300mm probe) for isolated or matrixed memory elements. Additionally, strong modeling expertise is developed to cover the entire value chain, from modeling the physical mechanisms responsible for logical state changes to the development of compact models. This modeling and characterization work feeds into the team’s circuit design and simulation activities.

Reliability, Optimization, and Security

• Characterization and modeling of the reliability of emerging resistive memories (RRAM). 

• Addressing security aspects of conventional and emerging Non-Volatile Memories (NVM). 

Development of Innovative Solutions

• Design and security of emerging NVMs for ultra-low power applications.

• Use of resistive memories for biomimetic applications.