Aller au contenu principal

Séminaire Hocine Khemliche - 5 décembre 2018- Modes d’organisation d’interfaces organique/inorganique révélés en temps réel par diffraction d’atomes rapides en incidence rasante.

Salle des séminaires de l'Im2np, campus de Saint-Jérôme, aile 1, niveau 6 service 161
-

Invitation : Christian Loppacher (Eq. NANO, Dep. PHANO)

Diffusion : IM2NP, CiNaM, Irphe, LP3, Madirel (via P. Boulet), PIIM (via T. Angot), CPT (T. Martin), Fédération de Chimie (via S. Viel)

 

SEMINAIRE Mercredi 5 Décembre 2018 à 14h

Salle des séminaires de l'Im2np, campus de Saint-Jérôme, aile 1, niveau 6 service 161

 

Hocine Khemliche

Institut des Sciences Moléculaires d’Orsay, CNRS, Univ. Paris-Sud,  Université Paris-Saclay, Bât.520, Campus d’Orsay, 91400 Orsay France

 

Modes d’organisation d’interfaces organique/inorganique révélés en temps réel par diffraction d’atomes rapides en incidence rasante.

 

Les modes d’organisation de couches minces organiques sur des substrats inorganiques prédéterminent pour une large part les propriétés (électronique, optique, etc.) finales du système hybride. Décrire le plus finement possible ces processus d’organisation puis les maitriser afin de contrôler les propriétés finales est devenu un enjeu majeur. Du point de vue expérimental, le défi consiste à développer des techniques particulièrement sensibles à la dernière couche, préservant l’intégrité de ces matériaux singulièrement fragiles aux radiations (électrons, photons) et surtout capable d’opérer en temps réel pendant la croissance.

La diffraction d’atomes rapides en incidence rasante (GIFAD pour Grazing Incidence Fast Atom Diffraction), développée à l’ISMO (Orsay), semble répondre parfaitement à toutes ces contraintes. Sa capacité à identifier finement les propriétés des films de semi-conducteurs inorganiques et leur mode de croissance a déjà été démontrée. GIFAD repose sur la diffraction d’atomes d’hélium d’énergie de l’ordre du keV et à des angles autour de 1°. La collection des particules diffusées sur un détecteur sensible en position permet d’extraire des informations fines sur les propriétés de la surface, que la diffusion soit cohérente ou pas.

Après une description du principe et des fondements de GIFAD, nous illustrerons la technique par les premiers résultats obtenus sur la croissance d’une monocouche de pérylène (C20H12) sur un monocristal d’argent Ag(110). Nous verrons en particulier comment révéler la dynamique complexe et insoupçonnée où les transitions de phase gaz-liquide et liquide-solide sont clairement résolues. La richesse dans la dynamique d’organisation de ce modèle d’interface organique/inorganique et sa dépendance avec les conditions du dépôt permet d’envisager la production de couches organiques de très grande qualité.